ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
-
ตัวต้านทานแบบลวดพันอลูมิเนียม
-
ตัวต้านทานกระแสไฟแบบลวดพัน
-
ตัวต้านทานแบบลวดพันเซรามิก
-
ตัวต้านทานแบบลวดพัน SMD
-
ตัวต้านทานกราวด์เป็นกลาง
-
ตัวต้านทานเบรกแบบไดนามิก
-
ตัวต้านทานความรู้สึกปัจจุบัน
-
ธนาคารโหลดตัวต้านทาน
-
กระแสตรง Shunt
-
ตัวต้านทานมอเตอร์โบลเวอร์
-
ตัวต้านทานไฟฟ้าแรงสูง
-
รีโอสตัทแบบลวดพัน
-
ตัวต้านทานเครือข่าย
-
ตัวต้านทานชะแลง
-
ตัวต้านทานแบบฟิล์ม
-
โพเทนชิออมิเตอร์แบบลวดพัน
-
ตัวต้านทานกระแสไฟแบบฟิล์มหนา
-
ตัวต้านทาน MELF
-
Paul Chigoฉันสั่ง NER 11KV จาก JDC จำนวน 2 ชุดสำหรับโครงการของเราเมื่อ 2 ปีที่แล้ว คุณภาพและเวลาในการจัดส่งดีมาก NER ทำงานได้อย่างสมบูรณ์แบบในขณะนี้ เราจะถือว่า JDC เป็นพันธมิตรที่มีค่าของเรา!! -
Jeffery Bellฉันพบ JDC เนื่องจากตัวต้านทานกระแสสัมผัส Vishay/TT มีปัญหาการขาดแคลน JDC ได้จัดหาชิ้นส่วนทางเลือกในเวลาอันสั้น และชิ้นส่วนของพวกมันสามารถแทนที่ชิ้นส่วน Vishay/TT ได้อย่างเต็มที่ด้วยเวลานำที่ดีขึ้นมาก
ชื่อผู้ติดต่อ :
Chris
หมายเลขโทรศัพท์ :
+8615602914508
Whatsapp :
+8615602914508
ตัวต้านทานแบบฟิล์มบาง MELF ความถี่สูง MMA 0204 MMB 0207 0.3W-1W
| สถานที่กำเนิด | จีน |
|---|---|
| ชื่อแบรนด์ | JDC |
| ได้รับการรับรอง | ROHS |
| หมายเลขรุ่น | MMB |
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ | 10,000PCS |
| ราคา | US$0.02-US$0.20 |
| รายละเอียดการบรรจุ | จำนวนมากในม้วน |
| เวลาการส่งมอบ | 2 สัปดาห์ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | T/T, Western Union |
| สามารถในการผลิต | 10,000,000 ชิ้นต่อเดือน |
ติดต่อฉันสำหรับตัวอย่างฟรีและคูปอง
Whatsapp:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อกังวลใด ๆ เราให้ความช่วยเหลือออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| พิมพ์ | MELF/SMD | กำลังไฟพิกัด | 0.3W-1W |
|---|---|---|---|
| ความอดทน | ±0.5%, ±0.1%, ±1% | TCR | 5ppm-100ppm |
| เน้น | ตัวต้านทาน MELF แบบฟิล์มบาง,ตัวต้านทาน MELF ความถี่สูง |
||
รายละเอียดสินค้า
ตัวต้านทาน MELF แบบฟิล์มบางความถี่สูง, MMA 0204, MMB 0207, 0.3W-1W
ตัวต้านทานความแม่นยำฟิล์มโลหะ MELF พร้อมสำหรับขนาด 024/0207พิกัดความเผื่อ 0.1%, TC5/10/15/25/50/100ppm.
MELF มีลักษณะเป็นทรงกระบอกและมีตัวต้านทานแบบหน้าไร้สารตะกั่วของอิเล็กโทรดโลหะขนาดรูปแบบที่ดินจะเหมือนกับตัวต้านทานชิป SMD
ผลิตขึ้นโดยการติดฟิล์ม NiCr ที่เป็นเนื้อเดียวกันลงบนตัวเซรามิกคุณภาพสูงตัวต้านทาน MELF คุณภาพสูงมอบความเสถียรทางไฟฟ้าและสิ่งแวดล้อมที่ยอดเยี่ยม ความเสถียรที่โดดเด่นตลอดอายุการใช้งาน ความชื้นแบบเอนเอียง และการทดสอบโอเวอร์โหลดในระยะเวลาอันสั้น
คุณสมบัติ
- เสถียรภาพโดยรวมดีเยี่ยม
- ค่าความเผื่อต่ำถึง ±0.1%
- TCR ต่ำมากจนถึง ±10 PPM/°C
- กำลังไฟสูงถึง 1 วัตต์
แอปพลิเคชั่น
- โทรคมนาคม
- อุปกรณ์ทางการแพทย์
- อุปกรณ์วัด/ทดสอบt
